刻蚀研发工艺工程师

20-40K·14薪

武汉

3-5年

硕士

全职

职位描述

1. 3D NAND ETCH Process develop
2. Process window enlarge
3. New tool evaluation
4. Cycle time reduction and cost down
5. Maintain process and make it stable
任职资格
1. Master at least and more than 3 years’ experience of ETCH process engineer or process develop engineer, 3D NAND ETCH process related experience preferred
2. At least good at one type of plasma etch process such as poly etch, oxide etch, metal etch, Bev etch, dry strip, etc

公司介绍

长江存储科技有限责任公司成立于2016年7月，总部位于“江城”武汉，是一家专注于3D NAND闪存设计制造一体化的IDM集成电路企业，同时也提供完整的存储器解决方案。长江存储为全球合作伙伴供应3D NAND闪存晶圆及颗粒，嵌入式存储芯片以及消费级、企业级固态硬盘等产品和解决方案，广泛应用于移动通信、消费数码、计算机、服务器及数据中心等领域。
2017年10月，长江存储通过自主研发和国际合作相结合的方式，成功设计制造了中国首款3D NAND闪存。2019年9月，搭载长江存储自主创新Xtacking®架构的64层TLC 3D NAND闪存正式量产。2020年4月，长江存储宣布128层TLC/QLC两款产品研发成功，其中X2-6070型号作为业界首款128层QLC闪存，拥有业界最高的IO速度，最高的存储密度和最高的单颗容量。截至目前长江存储已在武汉、上海、北京等地设有研发中心，全球共有员工6000余人，其中资深研发工程师约2200人。通过不懈努力和技术创新，长江存储致力于成为全球领先的NAND闪存解决方案提供商。

武汉洪山区长江存储科技有限责任公司ADB

校园宣讲会