具有超结结构的半导体器件的制造方法
专利类型：
发明公布
法律状态：
发明专利申请公布后的驳回
申请日期：
2012/04/11
具有新型终端结构的超结半导体器件及其制造方法
专利类型：
发明公布
法律状态：
授权
申请日期：
2012/03/29
一种改进型终端结构的功率MOS器件及其制造方法
专利类型：
发明公布
法律状态：
发明专利申请公布后的驳回
申请日期：
2012/03/13
一种具有低导通饱和压降的IGBT及其制造方法
专利类型：
发明公布
法律状态：
授权
申请日期：
2012/03/08
超高元胞密度深沟槽功率MOS器件及其制造方法
专利类型：
发明公布
法律状态：
授权
申请日期：
2011/12/08
功率MOSFET器件及其制造方法
专利类型：
发明公布
法律状态：
发明专利申请公布后的驳回
申请日期：
2011/11/25
具有超结结构的半导体器件及其制造方法
专利类型：
发明公布
法律状态：
授权
申请日期：
2011/11/18
低栅极电荷低导通电阻深沟槽功率MOSFET器件及其制造方法
专利类型：
发明公布
法律状态：
专利申请权、专利权的转移
申请日期：
2011/08/22
一种新型沟槽结构的功率MOSFET器件及其制造方法
专利类型：
发明公布
法律状态：
专利申请权、专利权的转移
申请日期：
2011/08/22
具有超结结构的平面型功率MOSFET器件及其制造方法
专利类型：
发明公布
法律状态：
专利申请权、专利权的转移
申请日期：
2011/07/26
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