摘要
本发明属于太阳电池制造领域,内容为一种解决硼扩散后表面浓度低的方法,该方法步骤为:(1)将制绒或则抛光后的N型硅片利用硼源高温扩散得到P+发射极;(2)在5%~20%氢氟酸溶液常温下反应5~15mins去除表面的硼硅玻璃;(3)将硅片放入氢氟酸/硝酸/水混合液体系的刻蚀溶液中反应0.5~2mins,将方阻提升10~20ohm/sq;(4)再将硅片放入碱溶液中常温下反应5~20s;(5)将硅片放入混酸溶液中清洗1~5mins到表面完全疏水;(6)用去离子水清洗并烘干。这样就可以解决硼扩散后由于二氧化硅吸硼作用造成的表面浓度低与PN结较深的问题。